解析：能生产3nm！成功研发全新DUV光刻：完全不同于ASML

福临祥门进

据悉，科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。在同行眼中，捕鱼游戏王有着让人觊觎的好品质，也有着很多让人嫉妒的忠实粉丝。捕鱼游戏2024年巅峰巨作，捕鱼游戏王震撼来袭，完美还原捕鱼达人千炮版玩法，全新3D升级画面，超多BOSS震撼来袭，千倍炮台超高爆率，经典街机超级爆金，给你最佳的捕鱼快感和游戏享受。登录送豪礼，每天还有各种福利任务等你来完成！https://qpmobile.pook.com/

据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，用于光刻设备。







中科院的固态DUV激光技术完全基于固态，由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030nm的激光，在通过两条不同的光学路径进行波长转换。



一路采用四次谐波转换(FHG)，将1030nm激光转换为258nm，输出功率12W。



另路径采用光学参数放大(OPA)，将1030nm激光转换为1553nm，输出功率700mW。



之后，转换后的两路激光通过串级硼酸锂(LBO)晶体混合，生成193nm波长的激光光束。







比较终获得的激光平均功率为70mW，频率为6kHz，线宽低于880MHz，半峰全宽(FWHM)小于011pm(皮米，千分之一纳米)，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。



基于此，甚至可用于3nm的工艺节点。



这种可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对于稀有气体的依赖，并大大降低能耗。



相关技术已经在国际光电工程学会(SPIE)的上公布。







不过相信大家也看出来了，这种全固态DUV光源技术虽然在光谱纯度上已经和商用标准相差几，但是输出功率、频率都还低得多。



对比ASML的技术，频率赢达到了约23，但输出功率只有07%的水平，因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。